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SPECIFICATIONS
深紫外核心材料 · SiC/AlN外延片/模板
WAlN-SC001
50~5000 nm，(002) ，(102)
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Hubei DUVTek Co., LTD.
湖北省鄂州市梧桐湖新区凤凰大道9号东湖高新科技创意城B08栋
Building B08, Donghu High-tech Innovation City, No. 9 Fenghuang Avenue, Wutong Lake New District, Ezhou, Hubei, China
| 性能 Properties | 参数值 Value |
|---|---|
| 直径 Diameter | 2 inch (50.8±0.05 μm) |
| 衬底类型 Substrate | 6H/4H-SiC <0001>±0.5°, N type, D degree |
| 衬底厚度 Substrate Thickness | 330±25 μm |
| 外延层厚度 Epilayer Thickness | 50~5000 nm |
| (002) 晶体质量 Crystal quality (FWHM of 002 XRC) | |
| (102) 晶体质量 Crystal quality (FWHM of 102 XRC) | |
| 正面粗糙度 Front side roughness | |
| 边缘扣除 Edge exclusion | |
| 贯穿裂纹 Through Crack | undefined |
| a面(11-20)取向 Surface orientation of a-plane | |
| m面(11-20)取向 Surface orientation of m-plane | |
| 定位边晶向 Primary flat orientation | |
| 定位边长度 Primary flat length | |
| 反面粗糙度 Back side roughness |